Aunque se ha confirmado ya que Toshiba ha comenzado a probar los chips UFS 3.0, parece que Samsung aún planea usar UFS 2.1 por un poco más de tiempo antes de hacer el cambio. El gigante de la electrónica coreana anunció hoy su mayor capacidad de almacenamiento UFS integrado, que es de, nada más y nada menos, 1 TB.
El anuncio se produce unas semanas antes del lanzamiento de la serie Galaxy S10, que se ha informado que llegará el próximo 20 de febrero antes del MWC 2019 y que su variante más avanzada viene con 12 GB de memoria RAM y 1 TB de espacio de almacenamiento interno, que bien concuerda con la nueva memoria que la firma ha dado a conocer ahora.
El chip UFS 2.1 de 1 TB es integrado, por lo que en realidad es “eUFS”. Este tiene un diseño de un solo chip y cuenta con una mejora en las velocidades de lectura y escritura en comparación con el eUFS 2.1 de 512 GB. El tamaño del chip es el mismo: mide 11,5 x 13 mm y tiene 16 capas de memoria flash V-NAND de 512 GB de 5ª generación.
El almacenamiento de 1 TB tiene una velocidad de lectura secuencial de 1,000 MB por segundo, una velocidad de escritura secuencial de 260 MB/s, una velocidad de lectura aleatoria de 58,000 IOPS y una velocidad de escritura aleatoria de 50,000 IOPS. Estas son ganancias significativas en la velocidad en comparación con otras versiones de memoria de Samsung.
El chaobel dice que la producción en masa ha comenzado y que también planea expandir la producción de su memoria V-NAND de 512 GB de quinta generación en su planta de Pyeongtaek a lo largo del primer semestre de este 2019, anticipando la fuerte demanda de almacenamiento del chip eUFS de 1 TB por parte de los fabricantes de teléfonos este año. Esto significa que veremos algunos teléfonos de 1 TB lanzados este año, tal vez más hacia finales del mismo.
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